10月30日，应固体所功能材料物理与器件研究部邀请，中科院金属研究所李昺、王振华研究员访问固体所，并做了精彩报告。来自固体所功能材料物理与器件研究部、计算物理与量子材料研究部，以及强磁场中心材料科学部的师生参加活动。
李昺研究员的报告题为《庞压卡材料》，他首先介绍了制冷技术在当今社会工农业生产、日常生活等多个领域的重要作用。现有制冷技术主要采用传统的气体压缩方式，普遍使用具有温室效应的制冷剂。基于固态相变热效应的制冷技术被认为是最有希望的替代方案之一。近期，李昺研究员的团队在一系列有机塑晶材料中发现了最高达687JKg-1K-1的等温熵变，较传统固态相变制冷材料高出一个数量级，并且这些材料极为低廉，驱动压力极低，具有十分诱人的应用前景。李昺研究员团队还运用高压中子散射、同步辐射X射线散射及理论计算等手段，揭示出这一独特效应来源于全新的物理机制，即压力对分子取向无序的抑制。庞压卡效应的发现为固态相变制冷材料的基础研究与应用开发提供了一个全新的思路。
王振华研究员在《拓扑绝缘体纳米材料输运及光学特性研究》的报告中介绍了拓扑绝缘体的概念，以及其团队近年来在三维拓扑绝缘体Bi2Te3、Bi2Se3纳米材料的表面态及光电性质调控方面的研究进展。该团队在Bi2Te3薄膜中发现薄膜表面导电性涨落导致的线性磁电阻，并通过非磁性和磁性元素掺杂，实现了Bi2Te3、Bi2Se3纳米材料导电特性从金属性至半导体特性的转变；在准一维Bi2(TexSe1-x)3纳米线发现了低温门电压对电阻的调控，实现了N型到P型的双极化转变；设计开发了Bi2Te3、Bi2Se3薄膜和硅基片形成PN结材料体系，并研究了所形成PN结的光学特性；通过对基片的优化处理实现了Bi2Se3的垂直生长，这种垂直生长的纳米片薄膜可以拥有极高的比表面积，由于其有效光吸收面积的增大，其光电性质有极大的提升，在此基础上利用Cu掺杂对其体态的载流子进一步的抑制，实现了光电流进一步增强。
报告会结束后，与会人员就感兴趣的问题与李昺研究员、王振华研究员展开了深入的讨论与交流。
李昺，中国科学院金属研究所研究员、沈阳材料科学国家研究中心功能材料与器件研究部副主任、磁性相变的中子散射研究组PI，主要从事固态相变制冷材料研究。2006年，在吉林大学材料物理专业获得学士学位；2012年，于中国科学院金属研究所获得博士学位；随后，赴美国弗吉尼亚大学物理系从事博士后研究；2015年至2018年初，在日本散裂中子源（J-PARC）中子科学部谱学组工作。2018年3月，加入中国科学院金属研究所功能材料与器件研究部。迄今，已在Nature、Nature Materials、 Nature Communications等刊物发表论文50余篇。曾获日本中子学会奖励、中国十大新锐科技人物、沈阳市“杰出人才”等多项奖励和荣誉称号。
王振华，中国科学院金属研究所沈阳材料科学国家研究中心，功能材料与器件研究部PI，研究员，博士生导师。主要从事拓扑绝缘体、纳米磁性材料等领域研究工作，取得一系列创新性研究成果。目前已在Nano Letter、Nano Research、ACS Nano、Appl. Phys. Lett.、Phys. Rev. B.等SCI国际刊物上发表70余篇论文，其中第一/通讯作者论文50篇，他人引用1000多次。申请发明专利8项。2011年获得辽宁省自然科学奖一等奖。2015年获得国家优秀青年自然科学基金资助。2014年获得中国科学院金属研究所科技创新奖，并入选沈阳材料科学国家实验室年度代表性成果。
王振华研究员作报告
