5月30日，应固体所邀请，江西师范大学物理学院雷雪玲教授做客凝聚态物理前沿论坛，并作了题为《2D-SiC中自旋点缺陷的理论研究》的学术报告。
在报告中，雷雪玲教授首先介绍了固态自旋缺陷的研究背景。她指出，固态自旋缺陷具有稳定的荧光发射、较长的自旋相干时间、良好的可拓展性及室温操作等优点，在量子传感、量子计算和量子通信方面具有重要的应用价值。而缺陷的精确结构以及电子态性质是固态自旋能否实现量子传感和量子信息处理的关键。
随后，雷雪玲教授重点介绍了团队在二维碳化硅（2D-SiC）中自旋点缺陷方面的研究工作。她表示，由于实验上对于宽带隙半导体点缺陷结构的精确识别存在困难，利用第一性原理计算方法精确识别缺陷结构、筛选潜在固态自旋候选物并分析其物理性质，对拓展固态自旋的应用具有重要意义。报告中，她详细汇报了在2D-SiC中预言的两种本征缺陷VSiVC和VSiSiC，以及两种掺杂缺陷OCVSi和SCVSi的结构、电子性质、稳定性和发光性质，为缺陷固态自旋的操控与性能优化提供了新的理论视角。
报告结束后，雷雪玲教授与参会师生进行了热烈讨论和交流，并详细解答了相关提问。
雷雪玲，江西师范大学物理学院教授，理学博士，物理学博士生导师，学科教学（物理）教育硕士导师，国家自然科学基金函评专家，J. Mater. Chem. A等国际重要期刊审稿人，全国计算原子与分子物理专业委员会委员，全国热力学与统计物理教学研究会理事。主要从事固态自旋缺陷与新能源材料的理论研究，以通讯作者或第一作者在Nat. Commun.、Phys. Rev. B、Energy Environ. Sci.等国际著名期刊发表多篇研究论文，至今已发表学术论文100多篇，引用1000余次。先后主持国家自然科学基金5项，主持江西省自然科学基金2项，主持江西省教育厅项目1项。
会议现场
